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氧化铝原子淀积层的预处理方法

摘要

本发明提供一种氧化铝原子淀积层的预处理方法,在同一台氧化铝原子层淀积炉内进行多晶硅半球形栅层表面上淀积氮化硅层的预处理步骤和在其上淀积氧化铝介质层的工艺步骤。克服了操作困难,工艺流程长,容易污染,使用的设备多,制造成本高等缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN1324689C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200410067501.8

  • 发明设计人 陈国庆;三重野文健;

    申请日2004-10-26

  • 分类号H01L21/8242(20060101);H01L21/314(20060101);C23C16/30(20060101);

  • 代理机构上海新高专利商标代理有限公司;

  • 代理人楼仙英;竺明

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8242 授权公告日:20070704 终止日期:20181026 申请日:20041026

    专利权的终止

  • 2012-01-04

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/8242 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-01-04

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8242 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2006-06-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-03

    公开

    公开

  • 2006-05-03

    公开

    公开

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