法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-29
授权
授权
2017-02-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H03B19/05 申请日:20160919
实质审查的生效
2017-02-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H03B 19/05 申请日:20160919
实质审查的生效
2017-01-18
公开
公开
2017-01-18
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 具有包括高浓度杂质区的宽带隙势垒层的氮化物半导体异质结场效应晶体管
机译: 宽带隙低的异质结双极晶体管,具有基于反扩散的-发射极结