一种调节二维光子晶体禁带的方法

摘要

本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ω_c，从而对TE波的ε(ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε(ω)函数中不含ω_c项，也就意味着和磁场无关；因此，当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时，可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。