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低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置,由于非晶硅薄膜上覆盖有氧化硅薄膜,利用氧化硅薄膜作为保温层,使非晶硅薄膜的温度可以得到保持,有利于非晶硅的晶化。由于预设区域是要形成低温多晶硅薄膜的区域,因此位于预设区域内的氧化硅薄膜的厚度较厚,以较好的保持晶化处理时预设区域内的非晶薄膜的温度,从而保证预设区域内形成的多晶硅的晶粒尺寸较大;并且,在除了预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度较薄,可以避免其它区域内的非晶硅薄膜的温度的温度急剧下降、造成预设区域边界处晶化环境不稳定,从而影响预设区域边界处形成的多晶硅的晶粒尺寸的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN104658891B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201510095020.6

  • 申请日2015-03-03

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/20(20060101);H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄志华

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2022-08-23 10:28:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150303

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20150303

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

    公开

  • 2015-05-27

    公开

    公开

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