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聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用

摘要

本发明涉及聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用,利用聚多巴胺薄膜修饰n型半导体材料来构建光电免疫传感器,其中,聚多巴胺具有吸收可见光的能力,能够作为一种有效的光敏剂拆分电荷、转移电子,因此可以增加传感器的光电流响应,同时,聚多巴胺的分子结构中具有邻苯二羟基的结构,此功能团可以与蛋白质中的氨基发生反应从而可以固定生物探针分子而不需要额外的中间介质,使得光电免疫传感器的结构更加简单,保证了该光电免疫传感器的稳定性,以其构建的光电免疫传感器具有较高的灵敏度、特异性和稳定性,适用于所有的蛋白质的检测,还可以用于其他生物分子如DNA、细胞等的检测。

著录项

  • 公开/公告号CN106645350B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南大学;

    申请/专利号CN201611245830.6

  • 发明设计人 胡卫华;杨艳;

    申请日2016-12-29

  • 分类号

  • 代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵荣之

  • 地址 400715 重庆市北碚区天生路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:27:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-08

    授权

    授权

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/327 申请日:20161229

    实质审查的生效

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/327 申请日:20161229

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

  • 2017-05-10

    公开

    公开

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