公开/公告号CN106356295B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201510418436.7
申请日2015-07-16
分类号
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人董巍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 10:27:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
授权
授权
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20150716
实质审查的生效
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20150716
实质审查的生效
2017-01-25
公开
公开
2017-01-25
公开
公开
机译: 制造包括半导体存储器的电子器件,该半导体存储器包括层间介电层,该层间介电层具有在堆叠结构上的第一和第二氮化物层
机译: 用于增强键合焊盘的子结构的半导体器件,包括层间介电层,该层间介电层形成在子结构上并且包括接触开口,该接触开口包括彼此连接的单独的点
机译: 与传统的中间层介电层相比,形成低介电常数的半导体器件层间介电层的方法