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顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法

摘要

一种微细加工技术领域的顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法。本发明用不同种刻蚀气体顺次对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理,具体为:先是一次或者多次使用化学反应性气体,对碳纳米管薄膜进行反应离子辅助等离子体处理;然后使用物理作用性气体,对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理。本发明能在完全无序排布的碳纳米管薄膜的基础上,使碳纳米管在薄膜表面的露出高度、密度得到调制,经过处理后的碳纳米管薄膜的表面形貌,露出高度、密度均匀,有很好的垂直取向性。本发明可极大地优化薄膜表面质量,并完全兼容于各种基于微电子加工技术,适于加工实现阵列化设计和批量生产。

著录项

  • 公开/公告号CN1321223C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN200610023239.6

  • 发明设计人 侯中宇;蔡炳初;张亚非;徐东;

    申请日2006-01-12

  • 分类号C23C16/513(20060101);C01B31/02(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟;王桂忠

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/513 授权公告日:20070613 终止日期:20100212 申请日:20060112

    专利权的终止

  • 2007-06-13

    授权

    授权

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-26

    公开

    公开

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