一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法，属于电子器件类。本发明特征在于使用微加工方法，在硅片表面形成一个容纳导线的槽，槽的形状为V形、梯形、U形、弧形、方形或其组合的凹槽、凹坑或者通孔，然后再在其上制作金属电极，从而实现百微米到毫米量级导线的直接引出结构。提供了一种在芯片上实现百微米到毫米量级导线的直接引出结构，从而可显著提高导线与芯片的连接强度，避免由于温度或者压力等外界环境变化以及人员操作所导致的芯片与导线的连接损坏而引起的断路等问题。