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一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型

摘要

本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面,其长度和宽度与栅极一致,厚度为0.1微米,其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT工艺的MMIC管芯热分布,为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-22

    授权

    授权

  • 2018-06-15

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G06F17/50 登记生效日:20180529 变更前: 变更后: 申请日:20160310

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-06-15

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G06F 17/50 登记生效日:20180529 变更前: 变更后: 申请日:20160310

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160310

    实质审查的生效

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160310

    实质审查的生效

  • 2016-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160310

    实质审查的生效

  • 2016-07-06

    公开

    公开

  • 2016-07-06

    公开

    公开

  • 2016-07-06

    公开

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