首页> 中国专利> 一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法

一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N

著录项

公开/公告号CN107170853B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
展开▼

申请/专利号CN201710318230.6
发明设计人沈悦;张宗坤;徐宇豪;沈意斌;黄健;顾峰;王林军;
展开▼

申请日2017-05-08
分类号
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人陆聪明
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2022-08-23 10:26:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-22

授权

授权
2017-10-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20170508

实质审查的生效
2017-10-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/109 申请日:20170508

实质审查的生效
2017-09-15

公开

公开
2017-09-15

公开

公开
2017-09-15

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法 [P] . 中国专利： CN107170853B . 2019.02.22
2. CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用 [P] . 中国专利： CN108258081B . 2020.06.26
3. ALGAN OR GAN ULTRAVIOLET AVALANCHE PHOTODETECTOR BASED ON FIELD PLATE STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020011201A1 . 2020-01-16

机译：基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
4. MULTILAYER STRUCTURE AND GROWTH METHOD OF GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM [P] . 日本专利： JPH088185A . 1996-01-12

机译： GAN基复合半导体薄膜的多层结构及生长方法
5. Method for producing composite GaN nanocolumn and light emitting structure produced by the method [P] . 日本专利： JP2019502273A . 2019-01-24

机译：复合GaN纳米柱的制备方法及由该方法制备的发光结构