法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C07F 9/28 授权公告日:20070425 终止日期:20100527 申请日:20050527
专利权的终止
2007-04-25
授权
授权
2006-02-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-14
公开
公开
机译: /用于有机器件的空穴阻挡层和/或电子传输层的新化合物以及包含该化合物和OLED的有机膜的制备方法
机译: /用于有机器件的空穴阻挡层和/或电子传输层的新化合物以及包含该化合物和OLED的有机膜的制备方法
机译: 具有空间分隔的电子-空穴双层的氧化物异质结构