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集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器及其制作方法

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本发明公开了一种集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器及其制作方法，所述集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，从底部向顶部依次包括：承载硅基底，传感器释放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅复合膜支撑结构，图形化多晶硅薄膜层，纳米尺度硅结构，梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构，金属氧化物敏感膜层。

著录项

公开/公告号CN105606661B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-12

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201610133211.1
发明设计人明安杰;郑轩;陈大鹏;
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申请日2016-03-09
分类号G01N27/12(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;
代理人张瑾
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 10:26:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-12

授权

授权
2016-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/12 申请日:20160309

实质审查的生效
2016-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20160309

实质审查的生效
2016-05-25

公开

公开
2016-05-25

公开

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外文文献

1. 集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器及其制作方法 [P] . 中国专利： CN105606661A . 2016-05-25
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