基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

摘要

本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。