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一种扩散型高压大电流肖特基芯片的生产工艺

摘要

本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺,依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N

著录项

  • 公开/公告号CN105762076B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆平伟实业股份有限公司;

    申请/专利号CN201610110506.7

  • 发明设计人 王兴龙;李述洲;张力;徐向涛;

    申请日2016-02-29

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 405200 重庆市梁平县梁平工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-18

    授权

    授权

  • 2016-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20160229

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20160229

    实质审查的生效

  • 2016-07-13

    公开

    公开

  • 2016-07-13

    公开

    公开

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