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【2h】

High Voltage Diffusion-Welded Stacks on the Basis of SiC Schottky Diodes

机译：基于SiC肖特基二极管的高压扩散焊接堆叠

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Oleg Korolkov; Natalja Sleptsuk; Paul Annus; Raul Land; Toomas Rang;
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年度 2016
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2. High-voltage diffusion-welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes [J] . Oleg Korolkov, Natalja Sleptsuk, Paul Annus, Materials science forum . 2016,第期

机译：基于SiC肖特基二极管的高压扩散焊接堆
3. SiC Schottky Diode Rectifier Bridge Represented as Diffusion-Welded Stack [J] . Oleg Korolkov, Vitali Kozlovski, Alexander Lebedev, Materials science forum . 2017,第期

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4. SiC JBS Diode Symmetrical Voltage Doubler Represented as the Diffusion-Welded Stack [J] . Oleg Korolkov, Raul Land, Jana Toompuu, Materials science forum . 2018,第期

机译：SiC JBS二极管对称倍压器，表示为扩散焊接堆
5. SiC Schottky diode rectifier bridge represented as diffusion-welded stack [C] . Oleg Korolkov, Vitali Kozlovski, Alexander Lebedev, 2016 European Conference on Silicon Carbide amp; Related Materials . 2016

机译：SiC肖特基二极管整流桥表示为扩散焊接堆
6. Design and fabrication of Schottky barrier diodes on SiC. [D] . Saxena, Vivek. 1998

机译：SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
7. 60–700 K CTAT and PTAT Temperature Sensors with 4H-SiC Schottky Diodes [O] . Razvan Pascu, Gheorghe Pristavu, Gheorghe Brezeanu, 2021

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8. Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes [O] . Fujiwara H, Kimoto T, Tojo T, 2005

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机译：碳化硅（siC）肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量

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