利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置

摘要

本发明公开了一种利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置，用于解决现有测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置测量效率低的技术问题。技术方案是包括可调谐激光器、单模光纤、光纤环行器、半导体晶片、高带宽光电探测器和示波器。可调谐激光器输出激光经单模光纤导引到光纤环行器，光纤环行器的输出口2将激光传输到半导体晶体表面，光纤环行器的输出口3通过长距离单模光纤与高带宽光电探测器输入口相连，高带宽光电探测器输出口接示波器。本发明使用300微米厚的半导体晶片做探测介质，提高了MeV核辐射脉冲的沉积效率，并使装置输出有效信号，提高了背景技术装置进行MeV核辐射脉冲探测时的效率。