一种平面型多晶硅发射极晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区为平面型，所述P型浓基区通过P型浓基区汇流条与基极金属层相连接，所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。本发明还提供了该平面型多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明提供的平面型多晶硅发射极晶体管比现有的槽型多晶硅发射极晶体管工艺更加简单，产品性能一致性好，抗冲击能力更强。