公开/公告号CN106441579B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院应用电子学研究所;
申请/专利号CN201611049401.1
申请日2016-11-25
分类号
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人沈强
地址 621000 四川省绵阳市919信箱1013分箱
入库时间 2022-08-23 10:23:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G01J3/28 申请日:20161125
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 3/28 申请日:20161125
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
机译: 可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置
机译: 对具有次幂模式流动的系统具有高反射阻力的金属衍射阵列,包括此类阵列的系统,以及一种改进金属衍射阵列的损伤阈值的方法
机译: 对具有次幂模式流动的系统具有高反射阻力的金属衍射阵列,包括此类阵列的系统,以及一种改进金属衍射阵列的损伤阈值的方法