具有低K金属间电介质以供减小寄生电容的MRAM集成

摘要

具有改进的机械稳定性和减小的寄生电容的高级节点中电阻式存储器元件与逻辑元件的集成的系统和方法包括在共用集成层中形成的电阻式存储器元件和逻辑元件，该集成层在底部盖层和顶部盖层之间延伸。至少高K值的第一金属间介电(IMD2)层形成在该共用集成层中并至少包围该电阻式存储器元件，以提供高刚性和机械稳定性。用以减小该逻辑元件的寄生电容的低K值的第二IMD层(IMD1、IMD3)形成在该共用集成层、该顶部盖层之上的顶层、或者该顶部盖层和该底部盖层之间的中间层中的任一者中。空气间隙可以形成在一个或多个IMD层中以进一步减小电容。