利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构

摘要

本发明公开了一种封装件，其包括设置在第一半导体衬底的第一侧上的第一重分布层(RDL)和设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中，第一RDL接合至第二RDL。第一导电元件设置在第一RDL和第二RDL中。第一通孔从一个或多个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底至与第一侧相对的第一半导体衬底的第二侧。第一间隔件插入在第一半导体衬底和第一通孔之间并且每个第一间隔件从相应的一个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底。本发明涉及利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构。