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一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用

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本发明提供一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用，所述金属元素掺杂ZnO纳米材料为Ga掺杂ZnO纳米材料，其中元素Ga、Zn的摩尔比为1～12∶100，本方法采用一种金属离子掺杂修饰的ZnO纳米材料作为QD‑LD的电子传输材料，可以有效降低量子点中激子的分离，提高QD‑LED器件的工作效率。本发明制备QD‑LED器件采用掺杂ZnO纳米墨水一步法制备电子传输材料，极大的减少了器件制备的工艺步骤。

著录项

公开/公告号CN106410051B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-27

原文格式PDF
申请/专利权人宁波工程学院;
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申请/专利号CN201610620473.0
发明设计人郑金桔;曹盛;王霖;高凤梅;尚明辉;杨祚宝;杨为佑;
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申请日2016-07-29
分类号H01L51/50(20060101);
代理机构33243 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张向飞
地址 315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号
入库时间 2022-08-23 10:20:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-27

授权

授权
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20160729

实质审查的生效
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20160729

实质审查的生效
2017-02-15

公开

公开
2017-02-15

公开

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