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厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体

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本发明提供一种厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体。该厚膜导体形成用组合物的耐焊料腐蚀性高并且不含铅，并且在制造芯片电阻器、电阻网络以及混合集成电路等时，该组合物为了在陶瓷基板等上形成厚膜导体而使用。本发明提供一种厚膜导体形成用组合物等，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO

著录项

公开/公告号CN105047251B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-16

原文格式PDF
申请/专利权人住友金属矿山株式会社;
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申请/专利号CN201510111408.0
发明设计人石山直希;
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申请日2015-03-13
分类号
代理机构北京三幸商标专利事务所(普通合伙);
代理人刘淼
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:20:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-16

授权

授权
2017-05-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B1/22 申请日:20150313

实质审查的生效
2017-05-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 1/22 申请日:20150313

实质审查的生效
2015-11-11

公开

公开
2015-11-11

公开

公开

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专利
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外文文献

1. 厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器 [P] . 中国专利： CN102426871B . 2015.07.01
2. 厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体 [P] . 中国专利： CN105047251B . 2018.11.16
3. Composition for forming a thick film conductor, the thick film conductor obtained by using the same and the chip resistor using the same [P] . 韩国专利： KR101274927B1 . 2013-06-17

机译：用于形成厚膜导体的组合物，通过使用该组合物获得的厚膜导体和使用该组合物的片式电阻器
4. Composition for forming thick film conductor and thick film conductor obtained using the composition [P] . 日本专利： JP6201190B2 . 2017-09-27

机译：用于形成厚膜导体的组合物和使用该组合物获得的厚膜导体
5. COMPOSITION FOR FORMING THICK FILM CONDUCTOR AND THICK FILM CONDUCTOR OBTAINED BY USING SAME [P] . 韩国专利： KR20150123725A . 2015-11-04

机译：用于形成厚膜导体的组合物和使用相同膜获得的厚膜导体的组合物