一种具有自旋整流特性的ZnO基磁性pn结及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有自旋整流特性的ZnO基磁性pn结及其制备方法，属于信息存储材料技术领域，该磁性pn结由p型铁磁材料ZnCuO:Li和n型半导体材料ZnO构成，其制备方法包括n型半导体材料ZnO的制备、表面电极的制备、p型铁磁材料ZnCuO：Li的制备、金属底电极的制备等四个步骤；该方法充分利用近年发展迅速的磁控溅射技术和阳极层离子源辅助沉积技术并进行有机结合，能在低温下生长与CMOS技术兼容的具有正向整流效应的自旋p‑n结，具有制备成本低，应用价值大的优点。