公开/公告号CN104282747B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN201310270870.6
申请日2013-07-01
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陈小雯
地址 中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 10:20:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-20
授权
授权
2016-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20130701
实质审查的生效
2016-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130701
实质审查的生效
2015-01-14
公开
公开
2015-01-14
公开
公开
机译: 半导体结构和形成谐波效应抑制结构的方法
机译: 半导体结构和形成谐波效应抑制结构的方法
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