结合负热膨胀材料的导电互连结构及相关系统、装置及方法

摘要

本发明揭示具有结合负热膨胀NTE材料的互连件的半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包含衬底，所述衬底具有至少部分延伸穿过所述衬底的开口。具有正热膨胀系数CTE的导电材料部分充填所述开口。具有负CTE的负热膨胀NTE材料也部分充填所述开口。在一个实施例中，所述导电材料包含铜，且所述NTE材料包含钨酸锆。