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一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法

摘要

本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接,第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2,第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接;第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout,第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地;本发明还涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路的实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。

著录项

  • 公开/公告号CN105897254B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州大学;

    申请/专利号CN201610325873.9

  • 发明设计人 魏榕山;李睿;王珏;

    申请日2016-05-17

  • 分类号H03K19/21(20060101);

  • 代理机构35100 福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡学俊

  • 地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区

  • 入库时间 2022-08-23 10:20:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-30

    授权

    授权

  • 2016-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/21 申请日:20160517

    实质审查的生效

  • 2016-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/21 申请日:20160517

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    公开

    公开

  • 2016-08-24

    公开

    公开

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