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【24h】

A new vertical MOSFET 'Vertical Logic Circuit (VLC) MOSFET' suppressing asymmetric characteristics and realizing an ultra compact and robust logic circuit

机译:一种新型的垂直MOSFET'垂直逻辑电路(VLC)MOSFET',可抑制不对称特性并实现超紧凑且坚固的逻辑电路

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摘要

The asymmetric characteristics of the conventional vertical MOSFET are examined. To reduce the IR drop influences of the diffusion resistance for the vertical MOSFET, a new vertical MOSFET for the Vertical Logic Circuit (VLC) configuration, which separates the current paths of small currents from large currents, has been proposed.
机译:检查了常规垂直MOSFET的非对称特性。为了减少垂直MOSFET的IR降对扩散电阻的影响,已经提出了一种用于垂直逻辑电路(VLC)配置的新型垂直MOSFET,该结构将小电流的电流路径与大电流分开。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2010年第11期|p.1457-1462|共6页
  • 作者

    Koji Sakui; Tetsuo Endoh;

  • 作者单位

    Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University, JST-CREST, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan;

    rnCenter for Interdisciplinary Research, Tohoku University, JST-CREST, Aramaki aza Aoba 6-3, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    pillar; MOSFET; vertical; back-bias effect; asymmetric characteristics;

    机译:柱;MOSFET;垂直;后偏效应不对称特征;
  • 入库时间 2022-08-18 01:34:59

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