公开/公告号CN105723282B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 卡尔蔡司SMT有限责任公司;
申请/专利号CN201480062219.2
申请日2014-08-18
分类号G03F7/20(20060101);B08B7/00(20060101);B24C1/00(20060101);B24C7/00(20060101);B24C11/00(20060101);C01B32/55(20170101);G01N21/88(20060101);G21K1/06(20060101);H01J65/04(20060101);H05G2/00(20060101);G02B27/00(20060101);G01N21/94(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陈钘;张邦帅
地址 德国上科亨
入库时间 2022-08-23 10:20:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-06
授权
授权
2016-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20140818
实质审查的生效
2016-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20140818
实质审查的生效
2016-06-29
公开
公开
2016-06-29
公开
公开
机译: 特殊等离子体光源或EUV光刻系统的光学布置
机译: 反射型光学元件的制造方法,反射型光学元件,Euv光刻设备以及光学元件和Euv光刻设备的操作方法,相移的确定方法,层厚度的确定方法以及实施该方法的设备
机译: 光学布置,EUV光刻设备和配置光学布置的方法