首页> 中国专利> 光学布置、尤其是等离子体光源或EUV光刻设备

光学布置、尤其是等离子体光源或EUV光刻设备

摘要

本发明涉及光学组件,尤其是等离子体光源(1′)或EUV光刻系统,包含:壳体(2),其包围内壳空间(3);真空生成单元,用于在上述壳体(2)中产生真空;至少一个表面(13),布置在所述内壳空间(3)中;清洁装置(15),用于移除沉积在所述表面(13)上的污染物质(14);以及观察装置(25),用于观察所述表面(13),其中,所述观察装置(25)具有能够朝着所述表面(13)取向的观察光学单元(26)。所述清洁装置(15)设计为通过释放CO2颗粒(17)形式的CO2移除沉积的污染物质(14)。

著录项

  • 公开/公告号CN105723282B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 卡尔蔡司SMT有限责任公司;

    申请/专利号CN201480062219.2

  • 发明设计人 M.贝克尔;U.米勒;O.阿普;

    申请日2014-08-18

  • 分类号G03F7/20(20060101);B08B7/00(20060101);B24C1/00(20060101);B24C7/00(20060101);B24C11/00(20060101);C01B32/55(20170101);G01N21/88(20060101);G21K1/06(20060101);H01J65/04(20060101);H05G2/00(20060101);G02B27/00(20060101);G01N21/94(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈钘;张邦帅

  • 地址 德国上科亨

  • 入库时间 2022-08-23 10:20:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-06

    授权

    授权

  • 2016-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20140818

    实质审查的生效

  • 2016-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20140818

    实质审查的生效

  • 2016-06-29

    公开

    公开

  • 2016-06-29

    公开

    公开

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