具有垂直磁隧道结的磁存储装置

摘要

提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。