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用于NAND存储器系统的高性能系统拓补

摘要

一种用于非易失性存储器系统的存储器电路的拓补减少了电容性负荷。对于给定的通道,单个存储器芯片可以连接到控制器,但又连接到在树状结构中扇出的多个其他存储器器件,其也可以扇回到单个存储器器件中。除了诸如存储器阵列和相关的外围电路的通常的电路以外,存储器芯片还包括触发器电路,且可以在若干模式中运作。模式包括通过模式和活动模式,在通过模式中,存储器电路的主要部分是不活动的,且在树结构中通过其他器件传递命令和数据,在活动模式中,存储器电路的主要部分是活动的,且可以接收和供应数据。也可以使用反向活动和反向通过模式,其中,数据在其他方向上流动。存储器芯片的垫可以被配置以交换输入垫和输出垫以更有效地将存储器芯片形成在封装中。

著录项

  • 公开/公告号CN105122227B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201480021399.X

  • 发明设计人 E.J.塔姆;

    申请日2014-05-01

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人万里晴

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:19:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F13/16 授权公告日:20181023 终止日期:20190501 申请日:20140501

    专利权的终止

  • 2018-10-23

    授权

    授权

  • 2018-10-23

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    著录事项变更 IPC(主分类):G06F13/16 变更前: 变更后: 申请日:20140501

    著录事项变更

  • 2016-08-24

    著录事项变更 IPC(主分类):G06F13/16 变更前: 变更后: 申请日:20140501

    著录事项变更

  • 2016-08-24

    著录事项变更 IPC(主分类):G06F 13/16 变更前: 变更后: 申请日:20140501

    著录事项变更

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F13/16 申请日:20140501

    实质审查的生效

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F13/16 申请日:20140501

    实质审查的生效

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 13/16 申请日:20140501

    实质审查的生效

  • 2015-12-02

    公开

    公开

  • 2015-12-02

    公开

    公开

  • 2015-12-02

    公开

    公开

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