沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构的制备方法，按以下步骤进行，⑴、场限环制作，⑵、氧化、光刻有源区，⑶、淀积阻挡氧化层，⑷、刻蚀阻挡氧化层，⑸、刻蚀沟槽区，⑹、栅氧化、淀积多晶硅，⑺、刻蚀多晶硅，⑻、硼磷硅玻璃淀积，⑼、光刻、刻蚀栅极引线槽，⑽、金属层淀积及钝化层淀积和光刻。本发明在不增加其他工艺成本的基础上，省去多晶硅光刻工艺，而工艺对引线沟的槽宽度没有特别的要求，既简化了工艺要求，又缩减了制作成本。