公开/公告号CN105637644B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 新电元工业株式会社;
申请/专利号CN201480003425.6
申请日2014-09-24
分类号
代理机构上海德昭知识产权代理有限公司;
代理人郁旦蓉
地址 日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
入库时间 2022-08-23 10:18:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-09
授权
授权
2016-06-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140924
实质审查的生效
2016-06-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140924
实质审查的生效
2016-06-01
公开
公开
2016-06-01
公开
公开
机译: 碳化硅半导体装置的制造方法,半导体基体的制造方法,碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置
机译: 碳化硅半导体基质,制造碳化硅半导体基质的方法,碳化硅半导体本体晶体,制造碳化硅半导体本体材料,碳化硅半导体材料的方法
机译: 制造碳化硅半导体器件的方法,制造半导体基体的方法,碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的装置