碳化硅半导体装置，碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置的设计方法

摘要

碳化硅半导体装置包括:第一导电型碳化硅层32,第二导电型碳化硅层36,栅极沟槽20,被设置在栅极沟槽20内的栅极电极79,以及直到比栅极沟槽20更深的深度处被形成的保护沟槽10。在水平方向上，包含栅极沟槽20，以及将栅极沟槽20的仅一部分在水平方向上包围的保护沟槽10这两者的区域成为单元(cell)区域，在水平方向上，包含保护沟槽10，且设置有栅极衬垫89或者与该栅极衬垫89相连接的布置电极的区域成为栅极区域。在单元区域中的栅极沟槽20的上方以及栅极区域中设有第二导电构件81，该第二导电构件81被设置为经过单元区域中不设有保护沟槽10的地方的上方，从栅极沟槽20的上方起延展到栅极区域。