一种窄垂直方向远场发散角的激光器及其制备方法

摘要

本发明提供一种该激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底上由下向上依次沉积有缓冲层、N型外限制层、N型内限制层、非掺杂的折射率渐变的波导层、量子阱有源区、非掺杂的折射率渐变的波导层、P型内限制层、P型外限制层、腐蚀阻挡层、P型包层、P型势垒渐变层、P型势垒激变层、P形欧姆接触层,量子阱有源区量子阱对数不小于6对；量子阱为应变的量子阱结构，阱为压应变，垒为张应变；量子阱结构垒的厚度不小于10nm；N型内限制层为张应变结构层，N型内限制层采用AlInAs材料。该激光器可降低半导体激光器的垂直方向的远场发散角，提高激光器与光纤的耦合效率。