首页> 中国专利> 3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法

3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法

摘要

本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域,提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极,包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层;石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间,石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米材料层共同作为发射层;还提供了一种上述发射阴极的制备方法。本发明的有益效果为:用金属泡沫作为骨架实现了石墨烯和一维纳米材料的复合结构场发射阴极的制备,具有大量场发射点;石墨烯既作为电子传输层又作为发射层,充分利用了石墨烯的优异性能;制备工艺简单,可实现快速、均匀和大面积3D空间型场发射阴极的制备,而且场发射阴极具有低开启电场、高发射电流密度和发射电流稳定性,具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN106158553B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201610825802.5

  • 申请日2016-09-14

  • 分类号

  • 代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人皋吉甫

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 10:18:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-25

    授权

    授权

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J1/304 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

  • 2016-11-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号