用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路

摘要

本发明提供一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路。所述方法包括：为SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为下拉晶体管和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为传输门晶体管的漏极施加第三电压；将待测传输门晶体管的源极节点预设为低电位，将非待测传输门晶体管的源极节点预设为高电位；为传输门晶体管的栅极施加从零到第四电压进行变化的电压；测量待测传输门晶体管的沟道电流，当沟道电流达到预设电流值时，为传输门晶体管的栅极施加的电压为待测传输门晶体管的阈值电压。本发明所提供的用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法可以实现在SRAM标准位元上进行测试，无需专用的测试结构。