一种制备InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法

摘要

本发明公开了一种制备高性能InGaN/AlGaN MQW紫光LED的方法，分别以蓝氨、高纯三甲基铟以及高纯三甲基镓为N、In、Ga源,分别以SiH₄和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂，包括如下步骤：1、氮化氮化蓝宝石、SiC或Si衬底；2、生长缓冲层并使缓冲层结晶后，再生长uGaN成核层；3、先生长低Si掺杂的n‑GaN层，再生长高Si掺杂的n+GaN层；4、生长n‑AlGaN层，5、生长Si掺杂的n+GaN层，再生长不掺Si的nGaN层；6、生长3个周期的不掺杂Al的InGaN/GaN超晶格，再生长8个周期Al掺杂的InGaN/AlGaN；7、生长PAlGaN层；8、生长Mg掺杂的P+GaN层；9、生长高Mg掺杂的P++GaN层；本发明利用LP MOCVD系统生长特定结构的InGaN/AlGaN MQW紫光LED外延片，具有制备成本低、节约时间且制备的紫外光LED性能好，推进了紫光LED外延的产业化。