小能带隙III-V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构

摘要

本发明公开了一种小能带隙III‑V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构，属于半导体器件技术领域。本发明通过在源极、漏极引入不同高掺杂漏极、漏极材料结构，并在漏极引入场板、隔离层侧墙结构，在保证源极有足量载流子输入的情况下，在漏极减小最高电场强度，使器件的离子化效应以及隧道击穿效应产生阈值提高，从而减小漏电流。同时，通过隔离层侧墙，漏极寄生电容得以减小，器件的频率特性从而得以提高。本发明能够提高III‑V MOSFET器件截止电压，减小离子化效应及隧道击穿效应，从而降低器件静态漏电流及相应静态功耗；同时通过减小寄生电容提高器件频率特性。