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一种减小DRAM节电模式下静态功耗的电路及方法

摘要

本发明公开一种减小DRAM节电模式下静态功耗的电路及方法,电路包括DRAM内部供电电压产生器和模式控制电路;所述DRAM内部供电电压产生器用于产生DRAM工作的电压;所述模式控制电路用于:在DRAM芯片正常工作时,将DRAM内部供电电压产生器产生的工作电压直接传送给DRAM内部供电电压网络;在DRAM芯片处于节电模式时,将DRAM内部供电电压产生器产生的工作电压降压后传送给DRAM内部供电电压网络。本发明在传统的DRAM产品中内部供电电压模块的设计基础上,额外添加一种模式控制选通电路,使得DRAM芯片在正常操作模式下,仍然使用预定的内部供电电压;而在节电模式下,使用一个降低了的内部供电电压,从而达到减小DRAM节电模式下的静态功耗的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN105702280B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201610028544.8

  • 发明设计人 贾雪绒;

    申请日2016-01-15

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710075 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

  • 入库时间 2022-08-23 10:16:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-21

    授权

    授权

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/4074 申请日:20160115

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

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