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以读代写的存储器纠错方法

摘要

本发明提供一种以读代写的存储器纠错方法,主要解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤,读入外部数据,若存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;该以读代写的存储器纠错方法解决了数据屏蔽对ECC的影响,可以复用存储器已有的读写电路,只需加入DM对读的控制。

著录项

  • 公开/公告号CN103594120B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201310537688.2

  • 发明设计人 亚历山大;

    申请日2013-10-31

  • 分类号

  • 代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人杨引雪

  • 地址 710055 陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-21

    授权

    授权

  • 2018-07-24

    著录事项变更 IPC(主分类):G11C29/42 变更前: 变更后: 申请日:20131031

    著录事项变更

  • 2014-03-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20131031

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

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