公开/公告号CN103594120B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;
申请/专利号CN201310537688.2
发明设计人 亚历山大;
申请日2013-10-31
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人杨引雪
地址 710055 陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼
入库时间 2022-08-23 10:15:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-21
授权
授权
2018-07-24
著录事项变更 IPC(主分类):G11C29/42 变更前: 变更后: 申请日:20131031
著录事项变更
2014-03-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20131031
实质审查的生效
2014-02-19
公开
公开
机译: 存储器单元,即动态RAM,一种操作方法,涉及在提供用于将读信息从存储器区域传送到输出缓冲器的读指令之后的时间间隔,在存储器区域和输出缓冲器之间产生读连接。
机译: 纠错电路和具有具有存储器控制器的纠错电路和存储器系统的纠错电路和存储器控制器
机译: 检查读/写设备和至少一个移动数据存储器之间的数据传输质量的方法以及使用该方法的读/写设备和移动数据存储器