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Error correction circuit, and memory controller having the error correction circuit and memory system having the memory controller

机译:纠错电路和具有具有存储器控制器的纠错电路和存储器系统的纠错电路和存储器控制器

摘要

Provided herein may be an error correction circuit, and a memory controller and a memory system. The error correction circuit may include an encoder configured to generate a codeword comprising a message part, a first parity part, and a second parity part, and a decoder configured to perform error correction decoding using read values corresponding to at least a portion of the codeword, wherein, the decoder is configured to perform error correction decoding based on a first or a second error correction ability such that error correction decoding using the first error correction ability is performed using partial read values corresponding to a partial codeword including the message part and the first parity part, and error correction decoding using the second error correction ability is performed using read values corresponding to the entire codeword, and wherein the second error correction ability is greater than the first error correction ability.
机译:本文提供的可以是纠错电路和存储器控制器和存储器系统。纠错电路可以包括编码器,被配置为生成包括消息部分,第一奇偶校验部分和第二奇偶校验部分的码字,以及被配置为使用与码字的至少一部分对应的读取值执行纠错解码的解码器其中,解码器被配置为基于第一或第二纠错能力执行纠错解码,使得使用与包括消息部分的部分码字对应的部分读取值来执行使用第一纠错能力来执行纠错解码。使用与整个码字对应的读取值执行使用第二差错校正能力的第一奇偶校验部分和纠错解码,并且其中第二纠错能力大于第一纠错能力。

著录项

  • 公开/公告号US10985780B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201916417208

  • 发明设计人 DAE SUNG KIM;KWANG HYUN KIM;

    申请日2019-05-20

  • 分类号H03M13/29;G06F11/10;H03M13;H03M13/15;G11C29/52;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:16:54

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