形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置

摘要

本发明涉及形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置。一种示例方法包括围绕鳍片形成至少一个外延半导体覆盖材料层并图案化该覆盖材料以及该鳍片，从而导致该图案化鳍片位于该图案化覆盖材料下，其中，该图案化覆盖材料具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿。该方法还包括相对该图案化覆盖材料选择性移除该图案化鳍片，环绕该覆盖材料的至少部分形成牺牲栅极结构，在各该基本垂直取向的支腿上形成外延半导体源/漏区，以及围绕该覆盖材料的至少部分形成最终栅极结构。