在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。本发明的半导体基板材料的制备方法为：将高分子配位体溶液与锌盐溶液以一定的体积比混合，搅拌均匀后，在一定的温度下发生络合反应，形成配位络合物，将该络合物涂膜在硅(111)片上，在氧气气氛下，在300～600℃温度下加热氧化0.25～6小时，自然降温后即可制得所需产品。本发明的生长温度低、设备简单、成本低、操作条件易控制且便于规模生产，而产品性能佳。