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嵌入式闪存的测试方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式闪存的测试方法,包括以下步骤,分别预先设置待测闪存的测试项目的期望值;同时或分时进行测试项目的实际测试,得到实际测得数据值;将所述实际测得数据值存入到错误捕获内存中;将实际测得数据值与所述闪存中预先设置的所有测试项目的期望值一一进行并行比较,判断每一个测试项目是否合格;当测试项目的实际测得数据值与预先设置的测试项目的期望值相同时,则判断测试项目为合格,否则为不合格;判断闪存是否为合格品,当所有测试项目为合格时,则测试的闪存为合格品,否则为不合格品。本发明提供的嵌入式闪存的测试方法,具有使嵌入式闪存的测试周期短、耗时时间短、测试时间短等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN105469834B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201410465843.9

  • 发明设计人 任栋梁;钱亮;

    申请日2014-09-12

  • 分类号G11C29/56(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-24

    授权

    授权

  • 2016-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20140912

    实质审查的生效

  • 2016-04-06

    公开

    公开

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