联华电子推出40nmSST嵌入式闪存工艺东芝的MCU将采用

摘要

联华电子日前宣布，该公司推出40nm结合Silieon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非挥发性内存的工艺平台。新推出的40nmSST嵌入式快闪工艺，较量产的55nm单元尺寸减少20％以上，并使整体内存面积缩小了20—30％。东芝电子组件＆存储产品公司已开始评估其微处理器（MCU）芯片于联华电子40ntoSST技术平台的适用性。