公开/公告号CN1290154C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-12-13
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电股份有限公司;
申请/专利号CN200410049329.3
申请日2004-06-11
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/66(20060101);B23K26/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人蒲迈文;黄小临
地址 台湾省新竹市
入库时间 2022-08-23 08:59:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-13
授权
授权
2005-02-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-12-08
公开
公开
机译: 在大气环境中通过准分子激光退火控制硅膜结晶过程中氧掺入的方法
机译: 准分子激光退火在空气环境中控制硅膜结晶过程中氧气混合的方法
机译: 将准分子激光退火结晶方法应用于柔性基体的TFT制膜方法来局部结晶A-SI薄膜