法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-15
专利权的转移 IPC(主分类):H02K29/00 登记生效日:20190226 变更前: 变更后: 申请日:20160711
专利申请权、专利权的转移
2018-08-21
授权
授权
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H02K29/00 申请日:20160711
实质审查的生效
2016-10-12
公开
公开
机译: 交错式磁头设计中用于间隙控制的磁障
机译: 具有嵌入式半导体装置和内置式塞子的热增强型半导体组件及其制造方法
机译: 用等离子体约束实现重力场的动态控制热核聚变(TLTS)方法,通过热辐射等离子体绝缘的壁反应堆防止中子辐射并节省磁场和等离子体的混合,使用旋转磁场的异步磁惯性约束反应堆(AMITYAR和HFM)为实施该方法,在该反应器中点燃热核反应的方法,爆炸式等离子发生器(VIP)的实施方法,以及具有HFM的特立普安瓿,以实现D + T反应和具有超高温热度的HFM D +3НЕ和1Н+11В的高温反应