一种用于STT-MRAM的磁性隧道结

摘要

本发明涉及磁电阻随机存储器，尤其涉及一种用于自旋转移扭矩磁电阻随机存储器的含有高阻尼系数亚铁磁固定层的磁性隧道结，包括：铁磁性的自由层、势垒层、含有亚铁磁性的固定层，势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的角动量补偿温度与STT‑MRAM的工作温度匹配，所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。本发明的有益效果在于：将亚铁磁材料用于STT‑MRAM中MTJ的固定层，从而增加固定层的阻尼系数，降低STT写电流对固定层的扰动，提高STT‑MRAM的可靠性。