有刻面的半导体纳米线

摘要

本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。