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一种用于访问系统芯片外SDRAM的控制器及其实现方法

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本发明公开了一种访问片外SDRAM的控制器及其实现方式，该控制器设置于基于ARM内核的、具有AHB总线的片上系统内，介于所述AHB总线和片外同步动态随机存储器之间，包括：SDRAM访问接口模块，用于与外同步动态随机存储器连接，满足同步动态随机存储器SDRAM的访问时序；高速缓存控制器，用于连接AHB总线和SDRAM访问接口模块，并对来自片外同步动态随机存储器SDRAM的数据进行预取和缓存。由于在系统芯片内设置了高速缓存，从而使访问外接SDRAM的效率提高，提高了整个系统的性能，同时也提高了芯片设计的灵活性。

著录项

公开/公告号CN1287444C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-29

原文格式PDF
申请/专利权人中兴通讯股份有限公司;
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申请/专利号CN03131817.7
发明设计人叶辉;熊小昆;
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申请日2003-06-05
分类号H01L21/82(20060101);H01L27/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 518057 深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法侓部
入库时间 2022-08-23 08:59:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-12

专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/82 合同备案号:2019440020036 让与人:深圳市中兴微电子技术有限公司受让人:西安克瑞斯半导体技术有限公司发明名称:一种用于访问系统芯片外SDRAM的控制器及其实现方法申请公布日:20041208 授权公告日:20061129 许可种类:普通许可备案日期:20190619 申请日:20030605

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2015-11-25

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/82 登记生效日:20151104 变更前: 变更后: 申请日:20030605

专利申请权、专利权的转移
2015-11-25

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/82 登记生效日:20151104 变更前: 变更后: 申请日:20030605

专利申请权、专利权的转移
2006-11-29

授权

授权
2006-11-29

授权

授权
2005-02-09

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-02-09

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-12-08

公开

公开
2004-12-08

公开

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